Fizikalni laboratorij IV

Študenti izvajajo zahtevnejše praktične vaje s področja spektralne analize meritev. Samostojno izvedejo več poskusov, ki so vnaprej pripravljeni. Nato obdelajo rezultate in jih tudi ustrezno predstavijo v pisnem poročilu.

Matematična fizika II (1FAF16)
Fizikalni laboratorij III (1FAF19)

1. UVOD: Ponovitev osnovnih konceptov Fourierovih vrst, Fourierove transformacije, disktretne fourierove transformacije in 2D fourierove transformacije

2. POSKUS: Analiza spektra zvoka strune in primerjava z modelom

3. POSKUS: Uklon na kristalni mreži, primerjava z realno sliko, Fourierove transformacije in uklonska slika

4. POSKUS: Meritev pasivnih filtrov (nizko- pasovnega, visoko-pasovnega in ozko- pasovnega filtra) in primerjava z modelom.

5. POSKUS: Meritev pasovne širine lock-in ojačevalca. Meritev ojačitve signala z lock-in ojačevalcem.

6. POSKUS: Uklon ultrazvoka (FFT)

• Do konca tega predmeta bo študent sposoben samostojno izvesti kompleksnejši poskus, ki zajema naslednje korake:

• priprava na poskus, pregled literature

• meritev in beleženje podatkov s pomočjo računalnika

• statistična obdelava podatkov, primerjava z matematičnimi modeli

• pisanje poročila meritve in predstavitev rezultatov obdelave podatkov

• zagovor rezultatov

Vsak poskus ima podana navodila v pisni obliki z seznamom literature.

• Ocena dnevnika meritev
• Oddana poročila
• Ustni zagovor poročil

Dr. Mattia Fanetti je izredni profesor za področje fizike na Univerzi v Novi Gorici. Mattia Fanetti is an associate professor of physics at the University of Nova Gorica.

Izbrane reference / selected bibliography:

1. FANETTI, Mattia, MIKULSKA, Iuliia, FERFOLJA, Katja, MORAS, Paolo, SHEVERDYAEVA, P. M., PANIGHEL, M., LODI-RIZZINI, A., PÍŠ, I., NAPPINI, S., VALANT, Matjaž, GARDONIO, Sandra.
   Growth, morphology and stability of Au in contact with the Bi2Se3(0001)Bi2Se3(0001)surface. Applied Surface Science, ISSN 0169-4332. Mar. 2019, vol. 471, str. 753-758, ilustr.,
   doi: 10.1016/j.apsusc.2018.11.140. [COBISS.SI-ID 5276923]

2. FERFOLJA, Katja, VALANT, Matjaž, MIKULSKA, Iuliia, GARDONIO, Sandra, FANETTI, Mattia. Chemical instability of an interface between silver and Bi2Se3Bi2Se3 topological insulator at room temperature. The journal of physical chemistry. C, Nanomaterials and interfaces, ISSN 1932-7447, 2018, vol. 122, no. 18, str. 9980-9984, ilustr., doi: 10.1021/acs.jpcc.8b01543. [COBISS.SI-ID 5205243]

3. BHATI, Vijendra Singh, FANETTI, Mattia, VALANT, Matjaž, et al. Efficient hydrogen sensor based on Ni-doped ZnO nanostructures by RF sputtering. Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005. [Print ed.], 2018, vol. 255, part. 1, str. 588-597, ilustr., doi: 10.1016/j.snb.2017.08.106. [COBISS.SI-ID
   4951803]

4. VALANT, Matjaž, LUIN, Uroš, FANETTI, Mattia, MAVRIČ, Andraž, VYSHNIAKOVA, Kateryna, SIKETIĆ, Zdravko, KALIN, Mitjan. Fully transparent nanocomposite coating with an amorphous alumina matrix and exceptional wear and scratch resistance. Advanced functional materials, ISSN 1616-301X, 2016, vol. 26, no. 24, str. 4362-4369, ilustr., doi: 10.1002/adfm.201600213. [COBISS.SI-ID 4427003]

5. EMIN, Saim, ABDI, Fatwa F. Abdi, FANETTI, Mattia, PENG, Wei, SMITH, W., SIVULA, K., DAM,
   Bernard, VALANT, Matjaž. A novel approach for the preparation of textured CuO thin films from electrodeposited CuCl and CuBr. Journal of electroanalytical chemistry, ISSN 1572-6657, 2014, vol. 717- 718, str. 243-249, doi: 10.1016/j.jelechem.2014.01.038. [COBISS.SI-ID 3243515]

6. FANETTI, Mattia, AMBROSINI, Stefano, AMATI, Matteo, GREGORATTI, Luca, ABYANEH, M. K.,
   FRANCIOSI, A., CHIA, A. C. E., LAPIERRE, R. R., RUBINI, Silvia. Monitoring the Fermi-level position within the bandgap on a single nanowire : a tool for local investigations of doping. Journal of applied physics, ISSN 0021-8979, 2013, vol. 114, no. 15, str. 154308-1-154308-9, doi: 10.1063/1.4826198.
   [COBISS.SI-ID 3196411]

7. BALOG, Richard, FANETTI, Mattia, et al. Bandgap opening in graphene induced by patterned hydrogen adsorption. Nature materials, ISSN 1476-1122, 2010, vol. 9, no. 4, str. 315-319. [COBISS.SI-ID
   2261243]